AP9970GW
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
120.000 A
RDSon
0.0032 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
375.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 240 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1320 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 120 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 375 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0032 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9970GW:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9970GW?
Los reemplazos compatibles para el AP9970GW incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOW292, AOW296, AOWF190A60, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9970GW?
El AP9970GW es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9970GW?
El AP9970GW tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 120.000 A.