AP9972GH
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
89.300 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 58 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 89.3 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9972GH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9972GH?
Los reemplazos compatibles para el AP9972GH incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP18N20GS, AP20N15AGH, AP20N15GH, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9972GH?
El AP9972GH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9972GH?
El AP9972GH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.