AP9972GS
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
89.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 58 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 89 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9972GS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9972GS?
Los reemplazos compatibles para el AP9972GS incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON6380, AP09N20H, AP09N20J, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9972GS?
El AP9972GS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9972GS?
El AP9972GS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.