AP9973GD

MOSFET N-Channel PDIP-8

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 3.900 A
RDSon 0.0800 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package PDIP-8
tr - Rise Time 4 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 80 pF
|Id| - Maximum Drain Current 3.9 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.08 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9973GD:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP9973GD?

Los reemplazos compatibles para el AP9973GD incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP9972AGI, AP9972AGP-HF, AP9972AGR-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP9973GD?

El AP9973GD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PDIP-8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP9973GD?

El AP9973GD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.900 A.

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