AP9980GJ
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
21.300 A
RDSon
0.0450 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
41.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 135 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 21.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 41.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.045 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9980GJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9980GJ?
Los reemplazos compatibles para el AP9980GJ incluyen: 10N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP9977GH-HF, AP9977GJ-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9980GJ?
El AP9980GJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9980GJ?
El AP9980GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 21.300 A.