AP9992AGI-HF

MOSFET N-Channel TO-220CFM

Parametros Principales

Vds Max. 60.000 V
Id Max. 80.000 A
RDSon 0.0035 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 41.600 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-220CFM
tr - Rise Time 82 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 870 pF
|Id| - Maximum Drain Current 80 A
Pd - Maximum Power Dissipation 41.6 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0035 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9992AGI-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP9992AGI-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP9992AGI-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON7408, AP9987GH-HF, AP9987GJ-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP9992AGI-HF?

El AP9992AGI-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220CFM.

¿Cual es el voltaje maximo del AP9992AGI-HF?

El AP9992AGI-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.

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