AP9997BGH-HF
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
9.300 A
RDSon
0.1450 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
27.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 55 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 27.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.145 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9997BGH-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9997BGH-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP9997BGH-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP9992AGP-HF, AP9992GI-HF, AP9992GP-A-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9997BGH-HF?
El AP9997BGH-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9997BGH-HF?
El AP9997BGH-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.300 A.
