AP9997BGH-HF

MOSFET N-Channel TO-252

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 9.300 A
RDSon 0.1450 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 27.800 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-252
tr - Rise Time 10 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 55 pF
|Id| - Maximum Drain Current 9.3 A
Pd - Maximum Power Dissipation 27.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.145 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9997BGH-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP9997BGH-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP9997BGH-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP9992AGP-HF, AP9992GI-HF, AP9992GP-A-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP9997BGH-HF?

El AP9997BGH-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP9997BGH-HF?

El AP9997BGH-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.300 A.

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