AP9997GK

MOSFET N-Channel SOT-223

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 3.200 A
RDSon 0.1200 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.800 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT-223
tr - Rise Time 7 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 65 pF
|Id| - Maximum Drain Current 3.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.12 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9997GK:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP9997GK?

Los reemplazos compatibles para el AP9997GK incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON6380, AP9992GR-HF, AP9995GH-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP9997GK?

El AP9997GK es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-223.

¿Cual es el voltaje maximo del AP9997GK?

El AP9997GK tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.200 A.

Scroll al inicio