AP9997GM

MOSFET N-Channel SO-8

Parametros Principales

Vds Max. 95.000 V
Id Max. 3.000 A
RDSon 0.1100 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO-8
tr - Rise Time 7 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 65 pF
|Id| - Maximum Drain Current 3 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 95 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.11 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9997GM:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel 5N65 MOSFET N-Channel AP9995GH-HF MOSFET N-Channel AP9995GJ-HF MOSFET N-Channel AP9997AGH-HF MOSFET N-Channel AP9997BGH-HF MOSFET N-Channel AP9997BGJ-HF MOSFET N-Channel AP9997GH-HF MOSFET N-Channel AP9997GJ-HF MOSFET N-Channel AP9997GK MOSFET N-Channel AP9997GP-HF MOSFET N-Channel AP9998GH-HF MOSFET N-Channel AP9998GS-HF MOSFET N-Channel AP99T03GP-HF MOSFET N-Channel AP99T03GS-HF MOSFET N-Channel AP99T06AGI-HF MOSFET N-Channel AP99T06AGP-HF MOSFET N-Channel AP99T06GP-HF MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP9997GM?

Los reemplazos compatibles para el AP9997GM incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 5N65, AP9995GH-HF, AP9995GJ-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP9997GM?

El AP9997GM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP9997GM?

El AP9997GM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 95.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.

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