AP9N20K
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
74.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 87 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9N20K:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9N20K?
Los reemplazos compatibles para el AP9N20K incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP85N04Q, AP90N03GD, AP90N04G, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9N20K?
El AP9N20K es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9N20K?
El AP9N20K tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.