AP9T15GJ
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
12.500 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
16.000 V
Potencia Max.
12.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 12.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9T15GJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9T15GJ?
Los reemplazos compatibles para el AP9T15GJ incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9998GH-HF, AP9998GS-HF, AP99T03GP-HF, AP99T03GS-HF, AP99T06AGI-HF, AP99T06AGP-HF, AP99T06GP-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9T15GJ?
El AP9T15GJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9T15GJ?
El AP9T15GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.500 A.