AP9T18GEJ
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
40.000 A
RDSon
0.0140 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
31.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 84 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 205 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 40 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 31 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.014 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9T18GEJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9T18GEJ?
Los reemplazos compatibles para el AP9T18GEJ incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP99T06AGP-HF, AP99T06GP-HF, AP9T15GH, AP9T15GJ, AP9T16AGH-HF, AP9T16GH, AP9T16GJ, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9T18GEJ?
El AP9T18GEJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9T18GEJ?
El AP9T18GEJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 40.000 A.