AP9T18GJ
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
38.000 A
RDSon
0.0140 Ω
Vgs Max.
16.000 V
Potencia Max.
31.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 38 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 31.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.014 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9T18GJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9T18GJ?
Los reemplazos compatibles para el AP9T18GJ incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9T15GH, AP9T15GJ, AP9T16AGH-HF, AP9T16GH, AP9T16GJ, AP9T18GEH, AP9T18GEJ, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9T18GJ?
El AP9T18GJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9T18GJ?
El AP9T18GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 38.000 A.