AP9T19GJ
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
12.000 V
Id Max.
33.000 A
RDSon
0.0160 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 85 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 690 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 33 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.016 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP9T19GJ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP9T19GJ?
Los reemplazos compatibles para el AP9T19GJ incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9T15GJ, AP9T16AGH-HF, AP9T16GH, AP9T16GJ, AP9T18GEH, AP9T18GEJ, AP9T18GH, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP9T19GJ?
El AP9T19GJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP9T19GJ?
El AP9T19GJ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 33.000 A.