APC65R190FM
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.1900 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
26.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 61.4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 83.1 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 26.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.19 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APC65R190FM:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APC65R190FM?
Los reemplazos compatibles para el APC65R190FM incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP90N03GD, AP90N04G, AP90N04K, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el APC65R190FM?
El APC65R190FM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del APC65R190FM?
El APC65R190FM tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.