APG011N03G
MOSFET
N-Channel
PDFN5X6
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
180.000 A
RDSon
0.0011 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
64.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PDFN5X6 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 180 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 64 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0011 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APG011N03G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APG011N03G?
Los reemplazos compatibles para el APG011N03G incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP90N04G, AP90N04K, AP90N04Q, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el APG011N03G?
El APG011N03G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PDFN5X6.
¿Cual es el voltaje maximo del APG011N03G?
El APG011N03G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 180.000 A.