APG013N04G
MOSFET
N-Channel
PDFN5X6-8L
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
160.000 A
RDSon
0.0013 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
65.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PDFN5X6-8L |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1169 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 160 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0013 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APG013N04G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APG013N04G?
Los reemplazos compatibles para el APG013N04G incluyen: 2SK2842, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP90N04Q, AP9N20K, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el APG013N04G?
El APG013N04G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PDFN5X6-8L.
¿Cual es el voltaje maximo del APG013N04G?
El APG013N04G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 160.000 A.