APG046N01G
MOSFET
N-Channel
PDFN5X6-8L
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
85.000 A
RDSon
0.0046 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
56.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PDFN5X6-8L |
| tr - Rise Time | 31 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1060 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 85 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 56.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0046 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APG046N01G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APG046N01G?
Los reemplazos compatibles para el APG046N01G incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AO3480, APG045N85D, APG050N85, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APG046N01G?
El APG046N01G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PDFN5X6-8L.
¿Cual es el voltaje maximo del APG046N01G?
El APG046N01G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 85.000 A.