APG068N04Q
MOSFET
N-Channel
PDFN3X3-8L
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
54.000 A
RDSon
0.0068 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
36.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PDFN3X3-8L |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 254 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 54 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 36.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0068 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APG068N04Q:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APG068N04Q?
Los reemplazos compatibles para el APG068N04Q incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AO3480, AOB29S50L, AOB380A60L, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el APG068N04Q?
El APG068N04Q es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PDFN3X3-8L.
¿Cual es el voltaje maximo del APG068N04Q?
El APG068N04Q tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 54.000 A.