APG080N12
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
120.000 V
Id Max.
106.000 A
RDSon
0.0080 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
147.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 352 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 106 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 147 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 120 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.008 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APG080N12:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APG080N12?
Los reemplazos compatibles para el APG080N12 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APG080N12?
El APG080N12 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del APG080N12?
El APG080N12 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 120.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 106.000 A.