APG082N01
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
100.000 A
RDSon
0.0082 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
155.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 380 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 155 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0082 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APG082N01:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APG082N01?
Los reemplazos compatibles para el APG082N01 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APG035N04Q, APG038N01G, APG042N01D, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APG082N01?
El APG082N01 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del APG082N01?
El APG082N01 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 100.000 A.