APG095N01
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
70.000 A
RDSon
0.0095 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 618 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 70 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0095 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APG095N01:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APG095N01?
Los reemplazos compatibles para el APG095N01 incluyen: 2N7002, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APG038N01G, APG042N01D, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APG095N01?
El APG095N01 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del APG095N01?
El APG095N01 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 70.000 A.