APM2014N
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0140 Ω
Vgs Max.
16.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.014 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APM2014N:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APM2014N?
Los reemplazos compatibles para el APM2014N incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK2222, 2SK3435, 2SK3435-S, 2SK3435-Z, AM4410N, B3942, AON6380, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el APM2014N?
El APM2014N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del APM2014N?
El APM2014N tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.