APM4800
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 17 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 220 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APM4800:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APM4800?
Los reemplazos compatibles para el APM4800 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, APM4548K, APM4550J, APM4550K, APM4552K, 2SK3096, APM4568J, APM4568K, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APM4800?
El APM4800 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del APM4800?
El APM4800 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.