APM4953
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
4.900 A
RDSon
0.0600 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 340 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.06 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APM4953:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APM4953?
Los reemplazos compatibles para el APM4953 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON7410, APM4828K, APM4835, APM4904K, APM4906K, APM4910K, APM4925, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APM4953?
El APM4953 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del APM4953?
El APM4953 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.900 A.