APM8001K
MOSFET
N-Channel
SOP8
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
4.100 A
RDSon
0.0720 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOP8 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 105 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.072 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APM8001K:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APM8001K?
Los reemplazos compatibles para el APM8001K incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APM7326J, APM7328K, APM7330J, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APM8001K?
El APM8001K es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOP8.
¿Cual es el voltaje maximo del APM8001K?
El APM8001K tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.100 A.