APM8010KC
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
5.500 A
RDSon
0.0400 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.04 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APM8010KC:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APM8010KC?
Los reemplazos compatibles para el APM8010KC incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 7N65, APM4330KC, APM4828KC-TRL, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el APM8010KC?
El APM8010KC es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del APM8010KC?
El APM8010KC tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.500 A.