APM9930
MOSFET
NP-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.0150 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15(5) A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.015(0.07) Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APM9930:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APM9930?
Los reemplazos compatibles para el APM9930 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 75N75, APM9922K, APM9926, APM9926AK, APM9926C, APM9926CCG, APM9926K, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APM9930?
El APM9930 es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del APM9930?
El APM9930 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.