APM9953
MOSFET
P-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 36 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 118 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APM9953:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APM9953?
Los reemplazos compatibles para el APM9953 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 50N06, APM9936K, 2SK3082S, APM9945K, APM9946J, APM9946K, APM9948J, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APM9953?
El APM9953 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del APM9953?
El APM9953 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.