APS04N60H-HF
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
620.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
59.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 59.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 620 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APS04N60H-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APS04N60H-HF?
Los reemplazos compatibles para el APS04N60H-HF incluyen: 18N50, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AP9T16GH, AP9T16GJ, AP9T18GEH, AP9T18GEJ, AP9T18GH, AP9T18GJ, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el APS04N60H-HF?
El APS04N60H-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del APS04N60H-HF?
El APS04N60H-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 620.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.