APT1001RSLC
MOSFET
N-Channel
D3PAK
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
280.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | D3PAK |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT1001RSLC:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT1001RSLC?
Los reemplazos compatibles para el APT1001RSLC incluyen: 2SK1070, 2SJ450, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK2651-01MR, 2SK2638-01MR, 2SK1916-01R, 2SK1772, APT1001RBLC, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT1001RSLC?
El APT1001RSLC es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D3PAK.
¿Cual es el voltaje maximo del APT1001RSLC?
El APT1001RSLC tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.