APT1004R2KN
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
4.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT1004R2KN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT1004R2KN?
Los reemplazos compatibles para el APT1004R2KN incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT10040B2VFR, APT10040B2VR, APT10045B2FLL, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT1004R2KN?
El APT1004R2KN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del APT1004R2KN?
El APT1004R2KN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.