APT10M09LVFR
MOSFET
N-Channel
TO264
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
100.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
625.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO264 |
| tr - Rise Time | 36 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 3940 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 625 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT10M09LVFR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT10M09LVFR?
Los reemplazos compatibles para el APT10M09LVFR incluyen: 23N50, 2SK711, 2SK704, 2SK709, APT20M16LFLL, APT20M18LVFR, APT20M18LVR, APT20M20LFLL, APT30M30B2FLL, APT30M36B2FLL, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT10M09LVFR?
El APT10M09LVFR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO264.
¿Cual es el voltaje maximo del APT10M09LVFR?
El APT10M09LVFR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 100.000 A.