APT11N80KC3
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.4500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 770 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.45 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT11N80KC3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT11N80KC3?
Los reemplazos compatibles para el APT11N80KC3 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT10090BFLL, APT10090BLL, APT10090SFLL, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT11N80KC3?
El APT11N80KC3 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del APT11N80KC3?
El APT11N80KC3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.