APT13003DI
BJT
NPN
TO251
Parametros Principales
Vce Max.
450.000 V
Vcb Max.
700.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
16.000
Potencia Max.
24.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 18 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 9 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 700 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 450 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 24 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 16 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT13003DI:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT13003DI?
Los reemplazos compatibles para el APT13003DI incluyen: 2N3906, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT13003DI?
El APT13003DI es un transistor BJT NPN en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del APT13003DI?
El APT13003DI tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 450.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.