APT13003DZ

BJT NPN TO92

Parametros Principales

Vce Max. 450.000 V
Vcb Max. 700.000 V
Ic Max. 1.000 A
hFE Min 16.000
Potencia Max. 1.100 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity NPN
SMD Transistor Code 13003DZ
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 4 MHz
Collector Capacitance (Cc) 18 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 9 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 700 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 450 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1.1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 16

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT13003DZ:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el APT13003DZ?

Los reemplazos compatibles para el APT13003DZ incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, ALJB772, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el APT13003DZ?

El APT13003DZ es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del APT13003DZ?

El APT13003DZ tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 450.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.

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