APT13003LZ

BJT NPN TO92

Parametros Principales

Vce Max. 450.000 V
Vcb Max. 700.000 V
Ic Max. 0.800 A
hFE Min 6.000
Potencia Max. 0.800 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity NPN
SMD Transistor Code 13003LZ-G1
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 0.8 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 9 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 700 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 450 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.8 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 6

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT13003LZ:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el APT13003LZ?

Los reemplazos compatibles para el APT13003LZ incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, BC327, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el APT13003LZ?

El APT13003LZ es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del APT13003LZ?

El APT13003LZ tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 450.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.800 A.

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