APT17N
BJT
NPN
SOT23
Parametros Principales
Vce Max.
480.000 V
Vcb Max.
700.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | GD8 |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 700 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 480 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT17N:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT17N?
Los reemplazos compatibles para el APT17N incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SB1443, 2SC5856, 2SA200-O, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT17N?
El APT17N es un transistor BJT NPN en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del APT17N?
El APT17N tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 480.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.