APT17N80SC3
MOSFET
N-Channel
D3PAK
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
17.000 A
RDSon
0.2900 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
208.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | D3PAK |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1045 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 17 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 208 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.29 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT17N80SC3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT17N80SC3?
Los reemplazos compatibles para el APT17N80SC3 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, APT12060B2VFR, APT12060B2VR, APT12067B2LL, APT12067JLL, APT12080B2VFR, APT12080JVFR, APT14050JVFR, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT17N80SC3?
El APT17N80SC3 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D3PAK.
¿Cual es el voltaje maximo del APT17N80SC3?
El APT17N80SC3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 17.000 A.