APT20M18B2VFR
MOSFET
N-Channel
TMAX
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
100.000 A
RDSon
0.0180 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
625.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TMAX |
| tr - Rise Time | 27 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2270 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 625 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT20M18B2VFR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT20M18B2VFR?
Los reemplazos compatibles para el APT20M18B2VFR incluyen: 2SK711, AO3401, 2SK704, 2SK709, APT12080JVFR, APT14050JVFR, APT17N80BC3, APT17N80SC3, APT20M10JFLL, APT20M10JLL, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT20M18B2VFR?
El APT20M18B2VFR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TMAX.
¿Cual es el voltaje maximo del APT20M18B2VFR?
El APT20M18B2VFR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 100.000 A.