APT28F60S
MOSFET
N-Channel
D3PAK
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.2200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
520.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | D3PAK |
| tr - Rise Time | 36 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 510 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 520 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.22 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT28F60S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT28F60S?
Los reemplazos compatibles para el APT28F60S incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 5N60, APT24M80B, APT24M80S, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT28F60S?
El APT28F60S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D3PAK.
¿Cual es el voltaje maximo del APT28F60S?
El APT28F60S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.