APT30M30B2LL
MOSFET
N-Channel
TMAX
Parametros Principales
Vds Max.
300.000 V
Id Max.
100.000 A
RDSon
0.0300 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
690.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TMAX |
| tr - Rise Time | 22 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1870 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 690 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 300 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.03 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT30M30B2LL:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT30M30B2LL?
Los reemplazos compatibles para el APT30M30B2LL incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, APT20M20JLL, APT20M34BFLL, APT20M34BLL, APT20M36BFLL, APT20M36BLL, 2SK310, APT20N60BC3, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT30M30B2LL?
El APT30M30B2LL es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TMAX.
¿Cual es el voltaje maximo del APT30M30B2LL?
El APT30M30B2LL tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 300.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 100.000 A.