APT31N80JC3
MOSFET
N-Channel
SOT227
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
31.000 A
RDSon
0.1450 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
833.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT227 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2050 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 31 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 833 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.145 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT31N80JC3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT31N80JC3?
Los reemplazos compatibles para el APT31N80JC3 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, APT30M17JLL, APT30M30B2LL, APT30M30JLL, APT30M36B2LL, APT30M36JLL, APT30M40B2VR, APT30M61BLL, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT31N80JC3?
El APT31N80JC3 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT227.
¿Cual es el voltaje maximo del APT31N80JC3?
El APT31N80JC3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 31.000 A.