APT34N80B2C3
MOSFET
N-Channel
TMAX
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
34.000 A
RDSon
0.1450 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
417.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TMAX |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2050 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 34 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 417 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.145 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT34N80B2C3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT34N80B2C3?
Los reemplazos compatibles para el APT34N80B2C3 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, APT30M30B2LL, APT30M30JLL, APT30M36B2LL, APT30M36JLL, APT30M40B2VR, APT30M61BLL, APT30M75BLL, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT34N80B2C3?
El APT34N80B2C3 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TMAX.
¿Cual es el voltaje maximo del APT34N80B2C3?
El APT34N80B2C3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 34.000 A.