APT34N80B2C3G
MOSFET
N-Channel
TO-247
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
34.000 A
RDSon
0.1450 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
417.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-247 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2050 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 34 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 417 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.145 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT34N80B2C3G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT34N80B2C3G?
Los reemplazos compatibles para el APT34N80B2C3G incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APT33N90JCCU3, APT34F100B2, APT34F100L, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT34N80B2C3G?
El APT34N80B2C3G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247.
¿Cual es el voltaje maximo del APT34N80B2C3G?
El APT34N80B2C3G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 34.000 A.