APT4530AN
MOSFET
N-Channel
TO-3
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
230.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| tr - Rise Time | 27 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 522 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT4530AN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT4530AN?
Los reemplazos compatibles para el APT4530AN incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 5N65, APT42F50B, APT42F50S, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT4530AN?
El APT4530AN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del APT4530AN?
El APT4530AN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.