APT4M120K
MOSFET
N-Channel
TO-220
Parametros Principales
Vds Max.
1200.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
3.8000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
225.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 4.4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 225 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT4M120K:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT4M120K?
Los reemplazos compatibles para el APT4M120K incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 5N60, APT47N60BC3G, APT47N60BCFG, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT4M120K?
El APT4M120K es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220.
¿Cual es el voltaje maximo del APT4M120K?
El APT4M120K tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.