APT5010B2LL
MOSFET
N-Channel
TMAX
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
46.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
500.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TMAX |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 900 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 46 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT5010B2LL:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT5010B2LL?
Los reemplazos compatibles para el APT5010B2LL incluyen: 18N50, 2SK711, 2SK704, 2SK709, APT30M61BLL, APT30M75BLL, APT31N80JC3, APT34N80B2C3, APT4525AN, APT47N60BC3, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT5010B2LL?
El APT5010B2LL es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TMAX.
¿Cual es el voltaje maximo del APT5010B2LL?
El APT5010B2LL tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 46.000 A.