APT5022BN
MOSFET
N-Channel
TO-247
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
27.000 A
RDSon
0.2200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
360.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-247 |
| tr - Rise Time | 43 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 590 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 27 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 360 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.22 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT5022BN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT5022BN?
Los reemplazos compatibles para el APT5022BN incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK4027, APT5016BFLLG, APT5016BLLG, APT5016SFLLG, APT5017SVFRG, APT5018BFLLG, APT5018SFLLG, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT5022BN?
El APT5022BN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247.
¿Cual es el voltaje maximo del APT5022BN?
El APT5022BN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 27.000 A.