APT50M60JVFR
MOSFET
N-Channel
SOT-227
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
63.000 A
RDSon
0.0600 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
568.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-227 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1800 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 63 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 568 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.06 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del APT50M60JVFR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el APT50M60JVFR?
Los reemplazos compatibles para el APT50M60JVFR incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOD4184A, APT5024SVFRG, APT5025AN, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el APT50M60JVFR?
El APT50M60JVFR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-227.
¿Cual es el voltaje maximo del APT50M60JVFR?
El APT50M60JVFR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 63.000 A.